型号: APT5014SLLG
功能描述:
制造商: Microsemi
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 35A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 72nC
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs: 10V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 3261pF
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds: 25V
功率耗散(最大值): 403W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 140 毫欧 @ 17.5A,10V
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装: D3 [S]
封装/外壳: TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人:杨丹妮
电话:18124040553
联系人:肖瑶,树平
电话:17318082080
联系人:李先生
电话:18822854608
联系人:刘先生,李小姐
电话:13510175077
联系人:Alien
联系人:朱小姐
电话:13725570869
联系人:余先生,张先生
电话:13826514222
联系人:李杰
电话:021-55128778
Q Q:
联系人:黄
电话:13728703671
Q Q:
联系人:李军
电话:13818974326