型号: APT5024BLLG
功能描述:
制造商: Microsemi
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 22A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 43nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs： 10V
Vgs（最大值）： ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1900pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds： 25V
功率耗散（最大值）： 265W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 240 毫欧 @ 11A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-247 [B]
封装/外壳： TO-247-3
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13923432237
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：蔡
电话：13249556623
Q Q:
联系人：李亿
电话：15875549923
Q Q:
联系人：杨生
Q Q:
