型号: APT50GN60BDQ2G
功能描述: Microsemi Power Products Group/分立半导体产品
制造商: Microsemi Power Products Group
数据列表: APT50GN60(B,S)DQ2(G) Power Products Catalog
标准包装: 30
类别: 分立半导体产品
家庭: IGBT - 单路
系列: -
包装: 管件
IGBT 类型: 沟道和场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 107A
脉冲电流 - 集电极 (Icm): 150A
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on): 1.85V @ 15V,50A
功率 - 最大值: 366W
开关能量: 1185µJ(开),1565µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 325nC
25°C 时 Td(开/关)值: 20ns/230ns
测试条件: 400V,50A,4.3 欧姆,15V
反向恢复时间(trr): -
封装/外壳: TO-247-3
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247 [B]
其它名称: APT50GN60BDQ2GMIAPT50GN60BDQ2GMI-ND
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