型号: APT50GT120JU2
功能描述: IGBT 模块 Power Module - IGBT
制造商: Microsemi
制造商: Microchip
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 是
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1.2 kV
集电极—射极饱和电压: 1.7 V
在25 C的连续集电极电流: 75 A
栅极—射极漏泄电流: 500 nA
Pd-功率耗散: 347 W
封装 / 箱体: SOT-227-4
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tube
商标: Microchip / Microsemi
安装风格: Through Hole
栅极/发射极最大电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 1
子类别: IGBTs
单位重量: 30 g
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