型号:  APT50M50L2LLG

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 500V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-264 MAX

制造商:  microsemi

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C：  89A

Drain to Source Voltage (Vdss)：  500V

FET Feature：  Standard

FET Type：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

Gate Charge (Qg) @ Vgs：  200nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) @ Vds：  10550pF @ 25V

Mounting Type：  Through Hole

Package / Case：  TO-264

Power - Max：  893W

Rds On (Max) @ Id, Vgs：  50 mOhm @ 44.5A, 10V

Supplier Device Package：  264 MAX™ [L2]

Vgs(th) (Max) @ Id：  5V @ 5mA

包装：  3TO-264 MAX

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  500 V

最大连续漏极电流：  89 A

RDS -于：  50@10V mOhm

最大门源电压：  ±30 V

典型导通延迟时间：  24 ns

典型上升时间：  22 ns

典型关闭延迟时间：  56 ns

典型下降时间：  8 ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Through Hole

标准包装：  Rail / Tube

最大门源电压：  ±30

欧盟RoHS指令：  Compliant

最高工作温度：  150

最低工作温度：  -55

渠道类型：  N

最大漏源电阻：  50@10V

最大漏源电压：  500

每个芯片的元件数：  1

供应商封装形式：  TO-264 MAX

最大功率耗散：  893000

最大连续漏极电流：  89

引脚数：  3

连续漏极电流：  89 A

栅源电压（最大值）：  �30 V

漏源导通电阻：  0.05 ohm

工作温度范围：  -55C to 150C

极性：  N

类型：  Power MOSFET

元件数：  1

工作温度分类：  Military

漏源导通电压：  500 V

弧度硬化：  No