型号: APT50MC120JCU2
功能描述: 1200 V 34 mOhm 179 nC Boost chopper SiC MOSFET
制造商: Microsemi
FET类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
DraintoSourceVoltage(Vdss): 1200V
电流-连续漏极(Id)(25°C时): 71A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn): 20V
不同Id时的Vgs(th)(最大值): 2.3V @ 1mA(标准)
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 179nC @ 20V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): 2980pF @ 1000V
Vgs(最大值): +25V,-10V
功率耗散(最大值): 300W(Tc)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 34 毫欧 @ 50A,20V
工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 底座安装
封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC
无铅情况/RoHs: 否
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