型号: APT50MC120JCU2
功能描述: 1200 V 34 mOhm 179 nC Boost chopper SiC MOSFET
制造商: Microsemi
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
DraintoSourceVoltage(Vdss)： 1200V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 71A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 20V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 2.3V @ 1mA（标准）
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 179nC @ 20V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 2980pF @ 1000V
Vgs（最大值）： +25V，-10V
功率耗散（最大值）： 300W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 34 毫欧 @ 50A，20V
工作温度： -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 底座安装
封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC
无铅情况/RoHs： 否
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