型号: APT56M50B2
功能描述: MOSFET Power MOSFET - MOS8
制造商: Microsemi
制造商: Microchip
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: T-MAX-3
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 56 A
Rds On-漏源导通电阻: 85 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 220 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 780 W
通道模式: Enhancement
商标名: POWER MOS 8
封装: Tube
高度: 5.31 mm
长度: 21.46 mm
宽度: 16.26 mm
商标: Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值: 43 S
下降时间: 33 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 45 ns
工厂包装数量: 1
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 100 ns
典型接通延迟时间: 38 ns
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