型号:  APT6015B2VRG

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) T-MAX

制造商:  microsemi

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C：  38A

Drain to Source Voltage (Vdss)：  600V

FET Feature：  Logic Level Gate

FET Type：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

Gate Charge (Qg) @ Vgs：  475nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) @ Vds：  9000pF @ 25V

Mounting Type：  Through Hole

Package / Case：  TO-247-3 Variant

Power - Max：  520W

Rds On (Max) @ Id, Vgs：  150 mOhm @ 500mA, 10V

Supplier Device Package：  T-MAX™ [B2]

Vgs(th) (Max) @ Id：  4V @ 2.5mA

包装：  3T-MAX

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  600 V

最大连续漏极电流：  38 A

RDS -于：  150@10V mOhm

最大门源电压：  ±30 V

典型导通延迟时间：  15 ns

典型上升时间：  13 ns

典型关闭延迟时间：  45 ns

典型下降时间：  5 ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Through Hole

标准包装：  Rail / Tube