型号: APT60GF120JRD
功能描述: Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 115A 4-Pin SOT-227
制造商: Microsemi
供应商封装形式： SOT-227
最大栅极发射极电压： ±20
最大连续集电极电流： 115
欧盟RoHS指令： Not Compliant
最高工作温度： 150
标准包装名称： SOT-227
渠道类型： N
最大集电极发射极电压： 1200
最大功率耗散： 625000
最低工作温度： -55
引脚数： 4
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