型号: APT60N60SCSG
功能描述: MOSFET Power MOSFET
制造商: Microsemi
制造商: Microchip
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D3PAK-3
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 60 A
Rds On-漏源导通电阻: 45 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 150 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 431 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值: -
下降时间: 10 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 20 ns
工厂包装数量: 1
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 100 ns
典型接通延迟时间: 30 ns
单位重量: 4 g
联系人：Alien
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