型号: APT65GP60JDQ2
功能描述: IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi
制造商: Microsemi
制造商: Microchip
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 是
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 2.2 V
在25 C的连续集电极电流: 130 A
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
Pd-功率耗散: 431 W
封装 / 箱体: ISOTOP-4
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tube
商标: Microchip / Microsemi
安装风格: SMD/SMT
栅极/发射极最大电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 1
子类别: IGBTs
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：王黎鹰
电话：18611729779
Q Q:
联系人：朱生
电话：18676668010
Q Q:
联系人：徐
电话：18098987658
Q Q:
