型号: APT70SM70J
功能描述:
制造商: Microsemi
FET 类型: N 沟道
技术: SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss): 700V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 49A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 125nC @ 20V
Vgs(最大值): +25V,-10V
功率耗散(最大值): 165W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 70 毫欧 @ 32.5A,20V
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 底座安装
供应商器件封装: SOT-227
封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人:Alien
联系人:王小姐,刘先生
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联系人:余先生,张先生
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