型号: APT75GN120JDQ3
功能描述: IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi
制造商: Microsemi
制造商: Microchip
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 是
技术: Si
封装 / 箱体: SOT-227-4
安装风格: SMD/SMT
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1.2 kV
集电极—射极饱和电压: 1.7 V
栅极/发射极最大电压: 30 V
在25 C的连续集电极电流: 124 A
Pd-功率耗散: 379 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tube
集电极最大连续电流 Ic: 124 A
高度: 9.6 mm
长度: 38.2 mm
工作温度范围: - 55 C to + 150 C
宽度: 25.4 mm
商标: Microchip / Microsemi
集电极连续电流: 124 A
栅极—射极漏泄电流: 600 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 1
子类别: IGBTs
单位重量: 30 g
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