型号: APT77N60BC6
功能描述: MOSFET Power MOSFET - CoolMOS
制造商: Microsemi
制造商: Microchip
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 77 A
Rds On-漏源导通电阻: 37 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 260 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 481 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
高度: 5.31 mm
长度: 21.46 mm
宽度: 16.26 mm
商标: Microchip / Microsemi
下降时间: 8 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 27 ns
工厂包装数量: 1
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 110 ns
典型接通延迟时间: 18 ns
单位重量: 38 g
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：陈玲玲
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联系人：杨先生
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联系人：杨丹妮
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Q Q:
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Q Q:
