型号: APT80M60J
功能描述: APT80M60J N-Channel 600 V 52 A 55 mOhm 600 nC Mosfet - SOT-227-4
制造商: Microsemi
系列： POWER MOS 8™
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 84A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 5V @ 5mA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 600nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 24000pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±30V
功率耗散（最大值）： 960W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 55 毫欧 @ 60A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 底座安装
封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC
封装形式Package： SOT-227
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 600V
连续漏极电流ID： 84A
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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