型号: APT80M60J
功能描述: APT80M60J N-Channel 600 V 52 A 55 mOhm 600 nC Mosfet - SOT-227-4
制造商: Microsemi
系列: POWER MOS 8™
FET类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
电流-连续漏极(Id)(25°C时): 84A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn): 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值): 5V @ 5mA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 600nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): 24000pF @ 25V
Vgs(最大值): ±30V
功率耗散(最大值): 960W(Tc)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 55 毫欧 @ 60A,10V
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 底座安装
封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC
封装形式Package: SOT-227
极性Polarity: N-CH
漏源极击穿电压VDSS: 600V
连续漏极电流ID: 84A
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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