型号: APT8M80K
功能描述:
制造商: Microsemi
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 800V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 5V @ 500µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 43nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs： 10V
Vgs（最大值）： ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1335pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds： 25V
功率耗散（最大值）： 225W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 1.35 欧姆 @ 4A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-220 [K]
封装/外壳： TO-220-3
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：张先生
电话：13528883171
Q Q:
联系人：刘清影
电话：18924630310
Q Q:
联系人：杨慧
电话：13944855190
Q Q:
