型号: APT9M100B
功能描述:
制造商: Microsemi
系列： POWER MOS 8™
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 9A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 5V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 80nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 2605pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±30V
功率耗散（最大值）： 335W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 1.4 欧姆 @ 5A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-247-3
封装形式Package： TO-247
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 1000V
连续漏极电流ID： 9A
无铅情况/RoHs： 否
联系人：赵军
电话：18682318008
Q Q:
联系人：胡小姐
电话：13724343501
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
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联系人：李先生
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联系人：杨先生
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联系人：张先生
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Q Q:
联系人：陈s
电话：18680355003
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电话：13260236838
Q Q:
