型号: APTC60AM45B1G
功能描述: Microsemi Power Products Group/分立半导体产品
制造商: Microsemi Power Products Group
数据列表： APTC60AM45B1G
标准包装： 1
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 模块
系列： CoolMOS??
包装： 散装
FET 类型： 3 N 沟道（相角 + 升压斩波电路）
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 49A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 45 毫欧 @ 24.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 3.9V @ 3mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 150nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 7200pF @ 25V
功率 - 最大值： 250W
安装类型： 底座安装
封装/外壳： SP1
供应商器件封装： SP1
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：傅小姐
电话：13310061703
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
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电话：13480875861
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Q Q:
