型号: APTGT100H60T3G
功能描述: IGBT 模块 Power Module - IGBT
制造商: Microsemi
制造商: Microchip
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 是
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Quad
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.5 V
在25 C的连续集电极电流: 150 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 340 W
封装 / 箱体: SP-3
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 175 C
封装: Tube
高度: 11.5 mm
长度: 73.4 mm
工作温度范围: - 40 C to + 175 C
宽度: 40.8 mm
商标: Microchip / Microsemi
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 1
子类别: IGBTs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：向翱
电话：15366223933
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：15099946193
Q Q:
联系人：吴小姐
电话：13480965386
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：13798477800
Q Q:
