型号: APTGT200H60G
功能描述: IGBT 模块 Power Module - IGBT
制造商: Microsemi
制造商: Microchip
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 是
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Full Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.5 V
在25 C的连续集电极电流: 290 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 625 W
封装 / 箱体: SP6
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 100 C
封装: Tube
商标: Microchip / Microsemi
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 1
子类别: IGBTs
单位重量: 110 g
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：叶小姐
电话：183
Q Q:
联系人：刘小姐
电话：18273576079
Q Q:
联系人：张杰
电话：13973450440
Q Q:
