型号: APTGT20H60T1G
功能描述: Microsemi Power Products Group/分立半导体产品
制造商: Microsemi Power Products Group
数据列表： APTGT20H60T1G
标准包装： 1
类别： 分立半导体产品
家庭： IGBT - 模块
系列： -
IGBT 类型： 沟道和场截止
配置： 全桥反相器
电压 - 集射极击穿（最大值）： 600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 32A
功率 - 最大值： 62W
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）： 1.9V @ 15V，20A
电流 - 集电极截止（最大值）： 250µA
不同?Vce 时的输入电容（Cies）： 1.1nF @ 25V
输入： 标准
NTC 热敏电阻： 是
安装类型： 底座安装
封装/外壳： SP1
供应商器件封装： SP1
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