型号: APTGT35DA120D1G
功能描述: Microsemi Power Products Group/分立半导体产品
制造商: Microsemi Power Products Group
标准包装： 1
类别： 分立半导体产品
家庭： IGBT - 模块
系列： -
IGBT 类型： 沟道和场截止
配置： 单一
电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 55A
功率 - 最大值： 205W
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）： 2.1V @ 15V，35A
电流 - 集电极截止（最大值）： 5mA
不同?Vce 时的输入电容（Cies）： 2.5nF @ 25V
输入： 标准
NTC 热敏电阻： 无
安装类型： 底座安装
封装/外壳： D1
供应商器件封装： D1
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