型号: APTGT50DH60T1G
功能描述: Trans IGBT Module N-CH 600V 80A 10-Pin Case SP1
制造商: microsemi
包装： 10Case SP1
配置： Dual
引脚数： 10
最大集电极发射极电压： 600 V
最大连续集电极电流： 80 A
最大栅极发射极电压： ±20 V
安装： Screw
标准包装： Bulk
输入电容（Cies ） @ Vce时： 3.15nF @ 25V
电流 - 集电极（ Ic）（最大）： 80A
IGBT类型： Trench and Field Stop
安装类型： Chassis Mount
电流 - 集电极截止（最大）： 250µA
Vce（开） （最大值） Vge，Ic时： 1.9V @ 15V, 50A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）： 600V
供应商设备封装： SP1
功率 - 最大： 176W
封装/外壳： SP1
输入： Standard
NTC热敏电阻： Yes
RoHS指令： Lead free / RoHS Compliant
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