型号: APTGT50H60T2G
功能描述: IGBT MODULE 600V 80A 176W SP2
制造商: Microsemi Corporation
包装: 散装
系列: -
零件状态: 停產
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 全桥反相器
电压 - 集射极击穿（最大值）: 600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 80A
功率 - 最大值: 176W
不同Vge，Ic 时的Vce（on）: 1.9V @ 15V，50A
电流 - 集电极截止（最大值）: 250µA
不同Vce 时的输入电容（Cies）: 3.15nF @ 25V
输入: 标准
NTC 热敏电阻: 是
工作温度: -
安装类型: 底座安装
封装/外壳: SP2
供应商器件封装: SP2
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13923432237
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：朱先生
电话：13723794312
Q Q:
联系人：詹小姐
电话：13537778784
Q Q:
联系人：储景旭
电话：13916128954
Q Q:
联系人：曹娟娟
电话：18770063110
Q Q:
