型号: APTGT75DH60T1G
功能描述:
制造商: Microsemi
IGBT 类型： 沟槽型场截止
配置： 非对称桥
电压 - 集射极击穿（最大值）： 600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 100A
功率 - 最大值： 250W
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）： 1.9V @ 15V，75A
电流 - 集电极截止（最大值）： 250µA
不同 Vce 时的输入电容（Cies）： 4.62nF @ 25V
输入： 标准
NTC 热敏电阻： 是
工作温度： -40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 底座安装
封装/外壳： SP1
供应商器件封装： SP1
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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