型号: APTGTQ100DDA65T3G
功能描述: IGBT 模块
制造商: Microsemi
制造商: Microchip
产品种类: IGBT 模块
技术: -
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V
集电极—射极饱和电压: 1.65 V
在25 C的连续集电极电流: 100 A
栅极—射极漏泄电流: 240 nA
Pd-功率耗散: 250 W
封装 / 箱体: SP3F
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
封装: Tube
商标: Microchip / Microsemi
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 1
子类别: IGBTs
单位重量: 110 g
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