型号: APTM100DDA35T3G
功能描述: Microsemi Power Products Group/分立半导体产品
制造商: Microsemi Power Products Group
数据列表: APTM100DDA35T3G Power Products Catalog
标准包装: 1
类别: 分立半导体产品
家庭: FET - 模块
系列: -
包装: 散装
FET 类型: 2 个 N 沟道(双)
FET 功能: 标准
漏源极电压(Vdss): 1000V(1kV)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 22A
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 420 毫欧 @ 11A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 186nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 5200pF @ 25V
功率 - 最大值: 390W
安装类型: 底座安装
封装/外壳: SP3
供应商器件封装: SP3
联系人:Alien
联系人:连
电话:18922805453
联系人:樊勉
电话:17621743344
联系人:余先生,张先生
电话:13826514222
联系人:李先生
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联系人:谢先生
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Q Q:
联系人:夏
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联系人:高灵能
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