型号: APTM100TA35SCTPG
功能描述: APTM100 Series 1000 Vds 22 A 420 mOhm at 11A 390 W N-Channel 3-Phase Bridge
制造商: Microsemi
系列： POWER MOS 7®
FET类型： 6 N-沟道（3 相桥）
FET功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 1000V（1KV）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 420 毫欧 @ 11A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 5V @ 2.5mA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 186nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 5200pF @ 25V
功率-最大值： 390W
工作温度： -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 底座安装
封装/外壳： SP6-P
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 1000V
连续漏极电流ID： 22A
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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