型号: APTM10DSKM19T3G
功能描述: Microsemi Power Products Group/分立半导体产品
制造商: Microsemi Power Products Group
数据列表： APTM10DSKM19T3G Power Products Catalog
标准包装： 1
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 模块
系列： -
包装： 散装
FET 类型： 2 个 N 沟道（双）
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 70A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 21 毫欧 @ 35A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 200nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 5100pF @ 25V
功率 - 最大值： 208W
安装类型： 底座安装
封装/外壳： SP3
供应商器件封装： SP3
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：姚
电话：18575566328
Q Q:
联系人：郑涛
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Q Q:
联系人：朱
电话：15307640371
Q Q:
