型号: APTM120H29FG
功能描述: Microsemi Power Products Group/分立半导体产品
制造商: Microsemi Power Products Group
数据列表： APTM120H29FG Power Products Catalog
标准包装： 1
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 模块
系列： POWER MOS 7®
包装： 散装
FET 类型： 4 个 N 通道（H 桥）
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 1200V（1.2kV）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 34A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 348 毫欧 @ 17A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 5V @ 5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 374nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 10300pF @ 25V
功率 - 最大值： 780W
安装类型： 底座安装
封装/外壳： SP6
供应商器件封装： SP6
其它名称： APTM120H29FGMIAPTM120H29FGMI-ND
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