型号: APTM20DHM16T3G
功能描述:
制造商: Microsemi
FET 类型： 2 N 沟道（双）非对称型
FET 功能： 标准
漏源电压（Vdss）： 200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 104A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 19 毫欧 @ 52A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 140nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 7220pF @ 25V
功率 - 最大值： 390W
工作温度： -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 底座安装
封装/外壳： SP3
供应商器件封装： SP3
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
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