型号: APTM50DDA10T3G
功能描述: Microsemi Power Products Group/分立半导体产品
制造商: Microsemi Power Products Group
数据列表: APTM50DDA10T3G Power Products Catalog
标准包装: 1
类别: 分立半导体产品
家庭: FET - 模块
系列: -
包装: 散装
FET 类型: 2 个 N 沟道(双)
FET 功能: 标准
漏源极电压(Vdss): 500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 37A
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 120 毫欧 @ 18.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 96nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 4367pF @ 25V
功率 - 最大值: 312W
安装类型: 底座安装
封装/外壳: SP3
供应商器件封装: SP3
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