型号: APTM50H15FT1G
功能描述: 分立半导体模块 Power Module - Mosfet
制造商: Microsemi
制造商: Microchip
产品种类: 分立半导体模块
RoHS: 是
产品: Power MOSFET Modules
类型: Full Bridge
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: SP1-12
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 100 C
封装: Tube
配置: Quad
商标: Microchip / Microsemi
晶体管极性: N-Channel
下降时间: 26 ns
Id-连续漏极电流: 25 A
Pd-功率耗散: 208 W
产品类型: Discrete Semiconductor Modules
Rds On-漏源导通电阻: 130 mOhms
上升时间: 35 ns
工厂包装数量: 1
子类别: Discrete Semiconductor Modules
典型关闭延迟时间: 80 ns
典型接通延迟时间: 29 ns
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
单位重量: 80 g
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