型号: APTMC60TLM55CT3AG
功能描述: 250 W 49 mOhm 98 nC Power Module Mosfet
制造商: Microsemi
FET类型： 4 个 N 通道（三级反相器）
FET功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 1200V（1.2KV）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 55A
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 49 毫欧 @ 40A，20V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 2.2V @ 2mA（标准）
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 98nC @ 20V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1900pF @ 1000V
功率-最大值： 250W
工作温度： -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 底座安装
封装/外壳： SP3
无铅情况/RoHs： 否
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