型号:  ARF463AG

功能描述:  射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)

制造商:  Microchip / Microsemi

制造商:  Microchip

产品种类:  射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:  是

晶体管极性:  N-Channel

技术:  Si

Id-连续漏极电流:  9 A

Vds-漏源极击穿电压:  500 V

增益:  15 dB

输出功率:  100 W

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-247-3

封装:  Tube

工作频率:  100 MHz

工作温度范围:  - 55 C to + 150 C

类型:  RF Power MOSFET

商标:  Microchip / Microsemi

正向跨导 - 最小值:  4 mS

通道模式:  Enhancement

下降时间:  4 ns

Pd-功率耗散:  180 W

产品类型:  RF MOSFET Transistors

上升时间:  4.1 ns

工厂包装数量:  1

子类别:  MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:  30 V

Vgs th-栅源极阈值电压:  5 V

单位重量:  38 g