型号: ARF476FL
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
制造商: Microchip / Microsemi
制造商: Microchip
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 10 A
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
增益: 15 dB
输出功率: 900 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
封装: Box
工作频率: 150 MHz
工作温度范围: - 55 C to + 175 C
类型: RF Power MOSFET
商标: Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值: 3 mS
下降时间: 4 ns
Pd-功率耗散: 910 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
上升时间: 4.1 ns
工厂包装数量: 1
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.3 V
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