型号:  ATP108-TL-H

功能描述:  

制造商:  ON Semiconductor

FET类型：  P 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  70A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  4.5V，10V

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  79.5nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  3850pF @ 20V

Vgs（最大值）：  ±20V

功率耗散（最大值）：  60W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  10.4 毫欧 @ 35A，10V

工作温度：  150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  ATPAK（2 引线 + 接片）

封装形式Package：  ATPAK

极性Polarity：  P-CH

漏源极击穿电压VDSS：  40V

连续漏极电流ID：  70A

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  3850pF @ 20V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  10.4 毫欧 @ 35A，10V

FET 类型：  P 沟道

漏源极电压（Vdss）：  40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  70A（Ta）

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  79.5nC @ 10V

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs