型号: ATP202-TL-H
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1650pF @ 10V
功率耗散（最大值）： 40W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 12 毫欧 @ 25A，10V
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： ATPAK（2 引线 + 接片）
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 50A（Ta）
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 27nC @ 10V
漏源电压（Vdss）： 30V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs： 10V
Vgs（最大值）： ±20V
供应商器件封装： ATPAK
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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