型号: AUIRF1010Z
功能描述: Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF1010Z, 94 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
制造商: Infineon Technologies
封装/外壳: TO220
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 55V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 75A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 7.5 毫欧 @ 75A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 95nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 2840pF @ 25V
功率耗散(最大值): 140W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220AB
通道类型: N
最大连续漏极电流: 94 A
最大漏源电压: 55 V
最大漏源电阻值: 7.5 m0hms
最大栅阈值电压: 4V
最小栅阈值电压: 2V
最大栅源电压: -20 V、+20 V
封装类型: TO-220AB
引脚数目: 3
晶体管配置: 单
通道模式: 增强
类别: 功率 MOSFET
最大功率耗散: 140 W
最低工作温度: -55 °C
最高工作温度: +175 °C
每片芯片元件数目: 1
长度: 10.67mm
高度: 16.51mm
系列: HEXFET
宽度: 4.83mm
晶体管材料: Si
典型栅极电荷@Vgs: 63 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds: 2840 pF@ 25 V
典型关断延迟时间: 36 ns
典型接通延迟时间: 18 ns
尺寸: 10.67 x 4.83 x 16.51mm
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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