型号: AUIRF1324STRL7P
功能描述:
制造商: Infineon Technologies
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 24V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 340A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 240nC @ 10V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 7590pF @ 24V
功率耗散(最大值): 300W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 1.65 毫欧 @ 195A,10V
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装: D²PAK(TO-263AB)
封装/外壳: D2PAK7P
安装风格: SMD/SMT
资格: AEC-Q101
封装: CutTape
高度: 4.4mm
长度: 10mm
宽度: 9.25mm
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人:杨丹妮
电话:18124040553
联系人:李先生
电话:18822854608
联系人:郑小姐
电话:18188616613
联系人:陈晓玲
电话:18126117392
联系人:陈泽辉
电话:13360071553
联系人:杨先生
电话:13352985419
联系人:木易
电话:13352985419
联系人:沈
电话:8537365
Q Q:
联系人:郑叶
电话:18901815555
Q Q:
联系人:吴
Q Q: