型号: AUIRF2907ZS-7P
功能描述: Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF2907ZS-7P, 180 A, Vds=75 V, 7引脚 D2PAK (TO-263)封装
制造商: Infineon Technologies
通道类型： N
最大连续漏极电流： 180 A
最大漏源电压： 75 V
最大漏源电阻值： 3.8 m0hms
最大栅阈值电压： 4V
最小栅阈值电压： 2V
最大栅源电压： -20 V、+20 V
封装类型： D2PAK (TO-263)
安装类型： 表面贴装
引脚数目： 7
晶体管配置： 单
通道模式： 增强
类别： 功率 MOSFET
最大功率耗散： 300 W
宽度： 10.05mm
典型接通延迟时间： 21 ns
典型关断延迟时间： 92 ns
典型输入电容值@Vds： 7580 pF@ 25 V
典型栅极电荷@Vgs： 170 nC @ 10 V
晶体管材料： Si
系列： HEXFET
每片芯片元件数目： 1
最高工作温度： +175 °C
长度： 10.35mm
高度： 4.55mm
尺寸： 10.35 x 10.05 x 4.55mm
最低工作温度： -55 °C
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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