型号:  AUIRF3808S

功能描述:  Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3808S, 106 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  D2PAK

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  75V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  106A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  220nC @ 10V

Vgs（最大值）：  ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  5310pF @ 25V

功率耗散（最大值）：  200W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  7 毫欧 @ 82A，10V

工作温度：  -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

供应商器件封装：  D2PAK

封装/外壳：  TO-263-3

通道类型：  N

最大连续漏极电流：  106 A

最大漏源电压：  75 V

最大漏源电阻值：  0.007 0hms

最大栅阈值电压：  4V

最小栅阈值电压：  2V

最大栅源电压：  -20 V、+20 V

封装类型：  D2PAK (TO-263)

引脚数目：  3

晶体管配置：  单

通道模式：  增强

类别：  功率 MOSFET

最大功率耗散：  200 W

最低工作温度：  -55 °C

最高工作温度：  +175 °C

每片芯片元件数目：  1

长度：  10.67mm

高度：  4.83mm

系列：  HEXFET

宽度：  9.65mm

晶体管材料：  Si

典型栅极电荷@Vgs：  150 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds：  5310 pF@ 25 V

典型关断延迟时间：  68 ns

典型接通延迟时间：  16 ns

尺寸：  10.67 x 9.65 x 4.83mm

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs