型号: AUIRF7675M2TR1
功能描述: MOSFET 150V AUTO GRD 1 N-CH HEXFET DIRECTFET M2
制造商: International Rectifier
制造商: International Rectifier
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
Id-连续漏极电流: 18 A
Vds-漏源极击穿电压: 150 V
Rds On-漏源导通电阻: 56 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
Qg-栅极电荷: 21 nC
最大工作温度: + 175 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DirectFET-7
封装: Reel
商标: International Rectifier
通道模式: Enhancement
配置: Single Quad Drain Dual Source
下降时间: 7.5 ns
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 45 W
上升时间: 13 ns
工厂包装数量: 1000
典型关闭延迟时间: 14 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
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