型号:  AUIRF9Z34N

功能描述:  Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET AUIRF9Z34N, 19 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  TO220

RoHS：  Y

技术：  Si

安装风格：  ThroughHole

通道数量：  1Channel

晶体管极性：  P-Channel

Vds-漏源极击穿电压：  55V

Id-连续漏极电流：  19A

Rds On-漏源导通电阻：  100mOhms

Vgs - 栅极-源极电压：  20V

Qg-栅极电荷：  23.3nC

最小工作温度：  -55C

配置：  Single

Pd-功率耗散：  68W

通道模式：  Enhancement

资格：  AEC-Q101

封装：  Tube

高度：  15.65mm

长度：  10mm

晶体管类型：  1P-Channel

宽度：  4.4mm

下降时间：  41ns

MXHTS：  85412999

上升时间：  55ns

典型关闭延迟时间：  30ns

典型接通延迟时间：  13ns

通道类型：  P

最大连续漏极电流：  19 A

最大漏源电压：  55 V

最大漏源电阻值：  100 m0hms

最大栅阈值电压：  4V

最小栅阈值电压：  2V

最大栅源电压：  -20 V、+20 V

封装类型：  TO-220AB

安装类型：  通孔

晶体管配置：  单

引脚数目：  3

通道模式：  增强

类别：  功率 MOSFET

最大功率耗散：  68 W

最高工作温度：  +175 °C

长度：  10.66mm

系列：  HEXFET

典型栅极电荷@Vgs：  35 nC @ 10 V

最低工作温度：  -55 °C

高度：  16.51mm

宽度：  4.82mm

每片芯片元件数目：  1

晶体管材料：  Si

典型输入电容值@Vds：  620 pF @ -25 V

典型关断延迟时间：  30 ns

典型接通延迟时间：  13 ns

尺寸：  10.66 x 4.82 x 16.51mm

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs