型号: AUIRFN7110TR
功能描述:
制造商: Infineon Technologies
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 58A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 74nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 3050pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 4.3W（Ta），125W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 14.5 毫欧 @ 35A，10V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）
封装/外壳： PG-TDSON-8
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：韩雪
电话：18124047120
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：欧阳
电话：151112997909
Q Q:
联系人：马先生
电话：15118843261
Q Q:
联系人：曾生
电话：18719069025
Q Q:
