型号: AUIRFP4568-E
功能描述:
制造商: Infineon Technologies
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 150V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 171A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 227nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 10470pF @ 50V
功率耗散（最大值）： 517W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 5.9 毫欧 @ 103A，10V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-247AD
封装/外壳： TO247
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：胡小姐
电话：13724343501
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：杨小姐
电话：1
Q Q:
联系人：陈凯敏
电话：18320771255
Q Q:
联系人：王磊
电话：19946274421
Q Q:
