型号:  AUIRFR5410

功能描述:  Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET AUIRFR5410, 13 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  DPAK

FET 类型：  P 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  13A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  205 毫欧 @ 7.8A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  58nC @ 10V

Vgs（最大值）：  ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  760pF @ 25V

功率耗散（最大值）：  66W（Tc）

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  58nC

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：  10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  760pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：  25V

供应商器件封装：  D-Pak

通道类型：  P

最大连续漏极电流：  13 A

最大漏源电压：  100 V

最大漏源电阻值：  210 m0hms

最大栅阈值电压：  4V

最小栅阈值电压：  2V

最大栅源电压：  -20 V、+20 V

封装类型：  DPAK (TO-252)

引脚数目：  3

晶体管配置：  单

通道模式：  增强

类别：  功率 MOSFET

最大功率耗散：  66 W

最低工作温度：  -55 °C

最高工作温度：  +150 °C

每片芯片元件数目：  1

长度：  6.73mm

高度：  2.39mm

系列：  HEXFET

宽度：  6.22mm

晶体管材料：  Si

典型栅极电荷@Vgs：  58 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds：  760 pF @ -25 V

典型关断延迟时间：  45 ns

典型接通延迟时间：  15 ns

尺寸：  6.73 x 6.22 x 2.39mm

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs