型号:  AUIRFS3107-7P

功能描述:  

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  D2PAK7P

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  75V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  240A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  2.6 毫欧 @ 160A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  240nC @ 10V

Vgs（最大值）：  ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  9200pF @ 50V

功率耗散（最大值）：  370W（Tc）

工作温度：  -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

供应商器件封装：  D2PAK（7-Lead）

通道类型：  N

最大连续漏极电流：  240 A，260 A

最大漏源电压：  75 V

最大漏源电阻值：  2.6 m0hms

最大栅阈值电压：  4V

最小栅阈值电压：  2V

最大栅源电压：  -20 V、+20 V

封装类型：  D2PAK (TO-263)

引脚数目：  7

晶体管配置：  单

通道模式：  增强

类别：  功率 MOSFET

最大功率耗散：  370 W

高度：  4.83mm

每片芯片元件数目：  1

尺寸：  10.67 x 9.65 x 4.83mm

宽度：  9.65mm

系列：  HEXFET

晶体管材料：  Si

典型栅极电荷@Vgs：  160 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds：  9200 pF @ 50 V

典型关断延迟时间：  100 ns

典型接通延迟时间：  17 ns

最低工作温度：  -55 °C

最高工作温度：  +175 °C

长度：  10.67mm

安装风格：  SMD/SMT

通道数量：  1Channel

晶体管极性：  N-Channel

Id-连续漏极电流：  260A

Rds On-漏源导通电阻：  2.5mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：  4V

Vgs - 栅极-源极电压：  20V

Qg-栅极电荷：  160nC

最小工作温度：  -55C

最大工作温度：  +175C

配置：  SingleQuintSource

Pd-功率耗散：  370W

通道模式：  Enhancement

资格：  AEC-Q101

封装：  Tube

高度：  4.4mm

长度：  10mm

晶体管类型：  1N-Channel

宽度：  9.25mm

正向跨导 - 最小值：  260S

下降时间：  64ns

上升时间：  80ns

典型关闭延迟时间：  100ns

典型接通延迟时间：  17ns

Vds-漏源极击穿电压：  75V

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs