型号:  AUIRFSL3206

功能描述:  Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFSL3206, 120 A，210 A, Vds=60 V, 3引脚 I2PAK (TO-262)封装

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  TO262

通道类型：  N

最大连续漏极电流：  120 A，210 A

最大漏源电压：  60 V

最大漏源电阻值：  3 m0hms

最大栅阈值电压：  4V

最小栅阈值电压：  2V

最大栅源电压：  -20 V、+20 V

封装类型：  I2PAK (TO-262)

安装类型：  通孔

引脚数目：  3

晶体管配置：  单

通道模式：  增强

类别：  功率 MOSFET

最大功率耗散：  300 W

高度：  9.65mm

每片芯片元件数目：  1

尺寸：  10.67 x 4.83 x 9.65mm

宽度：  4.83mm

系列：  HEXFET

晶体管材料：  Si

典型栅极电荷@Vgs：  120 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds：  6540 pF@ 50 V

典型关断延迟时间：  55 ns

典型接通延迟时间：  19 ns

最低工作温度：  -55 °C

最高工作温度：  +175 °C

长度：  10.67mm

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs