型号: AUIRG7CH80K6B-M
功能描述: Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 200A Wafer
制造商: International Rectifier
供应商封装形式： Wafer
最大栅极发射极电压： ±30
最大连续集电极电流： 200
欧盟RoHS指令： Supplier Unconfirmed
最高工作温度： 175
标准包装名称： Wafer
渠道类型： N
最大集电极发射极电压： 1200
最低工作温度： -40
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